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MT9HTF6472Y-80ED4

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MT9HTF6472Y-80ED4技术参数详情:

MT9HTF6472Y-80ED4是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插式内存模块(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作,以实现高带宽的数据吞吐。模块内部集成了片上终结(ODT)和可编程的CAS延迟、预充电时间等时序控制逻辑,这些设计有效优化了信号完整性,减少了主板布线的复杂性,并提升了系统在高速运行下的稳定性。

在功能特点方面,这款模块提供了512MB的存储容量,能够满足中等负载计算环境对内存空间的基本需求。其800MT/s的数据传输速率是一个关键性能指标,对应着800MHz的有效时钟频率,在64位宽的数据总线下,能够提供高达6.4GB/s的理论峰值带宽。这种性能使其能够有效缓解处理器与内存之间的数据瓶颈,尤其适合处理突发性的连续数据读写任务。模块支持1.8V的工作电压,相比早期的DDR内存显著降低了功耗与发热。对于需要可靠元器件供应的系统集成商而言,通过专业的美光芯片代理进行采购,是确保产品来源正宗和供应链稳定的重要途径。

该模块的接口严格遵循JEDEC为DDR2 DIMM制定的标准规范,确保了与主流服务器和工作站主板的广泛兼容性。其电气参数经过严格测试,包括工作温度范围、信号电压水平和时序参数(如tCL, tRCD, tRP等),均符合工业级应用的可靠性要求。240-DIMM的封装形式使其安装简便,并提供了稳固的物理连接。

在应用场景上,MT9HTF6472Y-80ED4主要面向需要稳定性和性价比的商业计算领域。它常见于企业级台式电脑、入门级工作站、以及一些特定型号的服务器中,用于承担操作系统、应用程序和缓存数据的运行任务。它也适用于对内存带宽有一定要求但不过分追求极限性能的网络设备、存储系统和工业控制计算机。其平衡的容量、速度和可靠性,使其成为构建经济高效且稳健的计算平台的一个经典内存解决方案。

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