Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT9HVF12872PKY-40EA1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该器件采用行业标准的244针微型双列直插内存模块（244-MDIMM）封装，其核心架构基于成熟的DDR2技术，内部由多颗高速同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片组成，通过精密的地址/命令总线和数据总线进行内部互联，实现了高达1GB的存储容量。其设计遵循JEDEC规范，确保了与主流服务器和工作站平台的广泛兼容性。
该模块的一个显著特点是其非常低的外形轮廓（VLP）设计，这使其特别适用于对空间有严格限制或需要优化散热风道的高密度计算环境。其运行速度为400MT/s（百万次传输/秒），对应的时钟频率为200MHz，在双倍数据速率（DDR）技术下，每个时钟周期可完成两次数据传输，从而提供了高效的数据吞吐能力。其工作电压为标准的DDR2 1.8V，在保证性能的同时，有助于控制系统的整体功耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品及相关技术支持。
在接口与电气参数方面，MT9HVF12872PKY-40EA1采用源同步时序（SSTL_18）电平，通过差分数据选通（DQS）信号进行精确的数据采集。模块内部包含带有片上终结（ODT）功能的寄存器，用于缓冲地址、命令和控制信号，这提升了信号完整性，并允许在单个内存通道上驱动更多的内存模块。其预取架构为4n，突发长度为4或8，并支持可编程的CAS延迟、写入延迟等时序参数，为系统设计者提供了灵活的配置空间以优化性能。
该内存模块主要面向需要高可靠性、高密度内存配置的企业级应用场景。它是构建刀片式服务器、机架式服务器、网络存储设备（NAS/SAN）以及高性能工作站的理想选择。其VLP特性使其在1U或2U高度的标准机架服务器中能够实现最大化的内存扩展，有效提升系统的整体计算能力和多任务处理效率。此外，它也适用于一些对物理尺寸有特殊要求的嵌入式系统和通信基础设施设备。
