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MT9HVF6472PKY-53EB1

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MT9HVF6472PKY-53EB1技术参数详情:

MT9HVF6472PKY-53EB1是美光科技(Micron Technology)推出的一款DDR2 SDRAM内存模块。该器件采用标准的244针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,内部集成了高密度存储单元,构成总容量为512MB的存储阵列。其核心基于成熟的DDR2架构,通过4n预取(4n-prefetch)技术,在核心时钟频率相对较低的情况下,实现了较高的数据传输速率。模块内部通常由多颗美光原厂DDR2 SDRAM芯片在PCB上组装而成,并配备串行存在检测(SPD)EEPROM,用于向主机系统自动报告模块的时序参数、容量与制造商信息,确保即插即用的兼容性。

该模块的数据传输速率达到533MT/s,对应的工作时钟频率为266MHz。得益于DDR2技术的差分选通(DQS)信号和片内终结(ODT)功能,它在提升带宽的同时,有效改善了信号完整性,降低了同步开关噪声。其工作电压为1.8V,相比前代DDR1的2.5V有了显著降低,这直接带来了功耗和发热量的减少,对于构建高密度、低功耗的系统平台至关重要。对于需要稳定、可靠内存供应的客户,通过美光一级代理可以获得原厂品质保障与完整的技术支持。

在接口与参数方面,该模块严格遵循JEDEC针对DDR2-533(PC2-4200)制定的规范。其延迟时序(如CL、tRCD、tRP)符合行业标准,确保了与主流芯片组和CPU内存控制器的广泛兼容。244-DIMM的封装形式使其主要应用于台式电脑、工作站、服务器以及一些工业控制计算机的主板内存插槽。模块的物理尺寸和引脚定义符合行业标准,便于系统集成与升级。

该内存模块典型的应用场景包括需要稳定内存子系统的商用台式机、入门级服务器、网络存储设备(NAS)以及特定的工业嵌入式计算机平台。其512MB的容量和533MT/s的速率,能够满足这些应用对基础数据处理、多任务操作和系统响应的需求。在需要对旧有DDR2平台进行维护、升级或备件替换的市场中,这款经过验证的成熟产品提供了一个可靠且性价比较高的解决方案。

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