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MT9KDF51272AZ-1G4E1

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MT9KDF51272AZ-1G4E1技术参数详情:

MT9KDF51272AZ-1G4E1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM内存模组。该模组采用240针无缓冲双列直插内存模块(UDIMM)封装,其核心架构基于先进的30纳米级制程工艺,内部集成了高密度的DRAM芯片,通过精密的PCB板设计和信号完整性优化,实现了在标准工作电压下的稳定高速数据传输。

该模组的关键特性在于其低电压运行高带宽性能的平衡。作为DDR3L(低电压)规格产品,其工作电压典型值为1.35V,相较于标准DDR3的1.5V,能显著降低系统功耗和发热,尤其适用于对能效有严格要求的计算环境。其数据传输速率达到1333MT/s(百万次传输/秒),配合DDR双倍数据速率技术,能提供高达10.6GB/s的理论峰值带宽,有效缓解处理器与内存之间的数据瓶颈,提升整体系统响应速度。

在接口与电气参数方面,该模组遵循JEDEC标准的DDR3L规范,确保与主流平台的良好兼容性。其容量为4GB,组织架构为512M x72位,其中包含8位错误校验码(ECC)支持,增强了数据存储的可靠性。时序参数(CL-tRCD-tRP)经过严格测试,以保证在标称频率下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户,可以通过正规的美光芯片代理渠道获取该产品及相关服务。

MT9KDF51272AZ-1G4E1主要面向企业级和商用计算平台。其典型的应用场景包括主流商务台式机、工作站、入门级服务器以及各类嵌入式系统和工业控制计算机。在这些领域,该模组能够为操作系统、应用程序和数据处理提供充足且高效的内存资源,满足日常办公、虚拟化、数据库处理和多任务计算的需求,是实现系统性能升级和能效优化的可靠选择。

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