Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT9VDDF6472Y-40BJ1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR SDRAM内存模块。该模块采用标准的184针RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）封装形式，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。模块内部集成了地址与控制信号的寄存器，这一设计不仅增强了信号完整性，还提升了在多负载内存子系统中的驱动能力，使其特别适合需要高稳定性和大容量内存配置的服务器及工作站平台。
该模块提供512MB的存储容量，运行速率为400MT/s（百万次传输/秒）。其Registered架构有效减轻了内存控制器在寻址大量内存颗粒时的电气负载，从而支持更高密度的内存配置和更稳定的系统运行。模块的184-RDIMM封装符合行业标准，确保了与主流服务器主板的物理和电气兼容性。其工作电压遵循DDR SDRAM标准规范，在提供可靠数据传输的同时，也兼顾了系统的功耗管理。
在接口与关键参数方面，MT9VDDF6472Y-40BJ1的数据传输在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行，实现了双倍于等效时钟频率的数据带宽。其400MT/s的数据速率对应着特定的时钟频率与存取时序参数，这些参数经过精密调校，以保障在服务器级应用中的时序余量与可靠性。对于需要可靠供应链与技术支持的用户，可以通过美光中国代理获取该产品及相关服务。该模块的典型应用场景集中于对数据完整性和系统稳定性有严苛要求的企业级领域。
它主要部署于网络服务器、数据中心服务器、高性能工作站以及金融交易系统等关键业务环境中。在这些场景中，模块的寄存缓冲特性能够有效支撑大规模、多通道的内存阵列，满足数据处理、虚拟化、大型数据库运行及科学计算等任务对高带宽、大容量和低错误率内存子系统的需求，是构建可靠企业计算基础设施的核心组件之一。
