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MT9VDDT3272AG-40BG4

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MT9VDDT3272AG-40BG4技术参数详情:

MT9VDDT3272AG-40BG4是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR SDRAM内存模块。该器件采用标准的184针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,内部集成了高密度同步动态随机存取存储器颗粒,构成了总容量为256MB的存储解决方案。其核心架构基于经典的DDR(双倍数据速率)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的物理时钟频率下实现了更高的有效数据带宽。

该模块的工作时钟频率为200MHz,由于采用了DDR技术,其有效数据传输速率达到400MT/s。它支持2.5V的工作电压,并内置了片上终端电阻(ODT)等信号完整性增强特性,有助于在高速运行下维持稳定的数据通信。模块的时序参数经过精心优化,以匹配其标称速度等级,确保在服务器、工作站及高端嵌入式系统等对时序一致性要求严格的应用中可靠运行。对于需要可靠供应链的客户,可以通过美光授权代理获取此正品元器件及相关技术支持。

在接口与电气参数方面,该DIMM模块遵循JEDEC制定的DDR SDRAM标准规范,确保了与支持该标准的主板或系统平台的广泛兼容性。其184针的接口定义了地址、数据、控制信号及电源/接地引脚的标准布局。模块的容量组织方式、刷新机制和突发传输模式均符合行业标准,便于系统设计人员进行集成与调试。其工作温度范围通常涵盖商业级或工业级标准,能够适应大多数室内电子设备的环境要求。

MT9VDDT3272AG-40BG4主要面向需要中等容量、可靠内存扩展的应用场景。它适用于早期的企业级服务器、网络通信设备、工业控制计算机以及某些专业的测试与测量仪器。在这些系统中,该模块可用于为主处理器提供程序运行空间和数据缓存,其标准化的DIMM外形和接口使得系统升级或维护更为便捷。尽管其单条容量以当今标准来看属于入门级别,但在其目标应用的生命周期内,它提供了经过验证的稳定性和足够的性能,是构建特定世代计算平台的关键存储组件之一。

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