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MT9VDDT6472AY-40BF1

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MT9VDDT6472AY-40BF1技术参数详情:

MT9VDDT6472AY-40BF1是美光科技(Micron Technology)推出的一款DDR SDRAM内存模块,采用标准的184针双列直插内存模块(184-DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR(双倍数据速率)技术,内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的PCB板级设计与信号完整性优化,集成了512MB的总存储容量。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流芯片组和内存控制器的广泛兼容性,为系统提供了稳定可靠的高速数据存储与交换基础。

该模块在400MT/s的数据传输速率下运行,实现了每个时钟周期内于上升沿和下降沿各传输一次数据,从而有效将数据传输带宽提升至传统SDRAM的两倍。其工作电压为标准的2.5V,在提供高性能的同时兼顾了功耗控制。严格的时序参数与片上终结(ODT)等信号完整性技术的应用,保障了在高速运行下的数据准确性。对于需要稳定货源和技术支持的客户,可以通过专业的美光芯片代理获取此产品及相关服务。

在接口与电气参数方面,MT9VDDT6472AY-40BF1采用184针DIMM接口,其引脚定义完全符合行业标准,便于集成到各类台式机、工作站及工业控制主板上。模块的CAS延迟、行预充电时间等关键时序参数均经过优化,以匹配400MT/s的速度等级。其工作温度范围通常涵盖商业级标准,能够满足大多数室内环境的应用需求。模块上的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了所有的配置信息,允许系统在启动时自动识别并优化内存设置,简化了系统集成与配置流程。

该内存模块主要面向对内存带宽和容量有基础要求的计算平台。其典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级工作站、网络附加存储(NAS)设备、以及各类工业自动化与控制设备。在这些场景中,它能够为操作系统、应用程序和缓存数据提供充足的临时存储空间,有效提升多任务处理能力和系统响应速度。其标准化的DIMM封装和可靠的性能表现,使其成为构建或升级稳定商用及工业计算系统的常用内存解决方案之一。

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