MT9VDDT6472HG-40BF2

MT9VDDT6472HG-40BF2是美光科技（Micron Technology）推出的一款采用200针小外形双列直插内存模块（200-SODIMM）封装的DDR SDRAM内存模块。该模块的核心架构基于成熟的DDR SDRAM技术，内部集成了高密度存储芯片，通过精密的PCB板设计和信号完整性优化，实现了在紧凑物理尺寸下的可靠高速数据传输。其设计遵循JEDEC标准规范，确保了与主流嵌入式及移动计算平台的广泛兼容性。

该模块的核心功能特点是提供了512MB的存储容量，并支持高达400MT/s的数据传输速率。这一速度等级意味着它在每个时钟周期的上升沿和下降沿都能进行数据传输，有效带宽相比传统SDRAM显著提升，能够满足对内存带宽有较高要求的应用场景。其工作电压符合DDR SDRAM标准，在提供性能的同时也兼顾了功耗的考量。模块采用SODIMM封装形式，特别适用于空间受限的设备，为系统设计提供了高度的灵活性。

在接口与关键参数方面，MT9VDDT6472HG-40BF2采用标准的200针SODIMM接口，引脚定义与行业规范一致，便于集成和升级。其400MT/s的速度对应特定的时钟频率与时序参数，这些参数在模块上的串行存在检测（SPD）芯片中已预先配置，系统开机时可自动读取并优化设置。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品以及相关的设计辅助服务。模块的电气特性、工作温度范围及可靠性指标均符合美光科技的高质量标准，适用于要求长期稳定运行的环境。

基于其容量、速度和紧凑型封装，MT9VDDT6472HG-40BF2非常适合应用于各类嵌入式系统、工业计算机、网络通信设备、便携式医疗仪器以及某些升级换代的老式笔记本电脑或专用终端。在这些领域，它能够为系统的主处理器提供充足且高速的程序运行与数据缓存空间，是构建高效、可靠计算平台的关键组件之一。

• Micron美光半导体完整型号: MT9VDDT6472HG-40BF2
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 400MT/s
• 封装/外壳: 200-SODIMM
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