PN28F128M29EWHA TR

PN28F128M29EWHA TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能并行NOR闪存芯片，采用先进的FLASH - NOR技术，封装形式为56VFBGA，并以卷带（TR）形式供货，适用于对可靠性和性能有严格要求的工业及嵌入式系统。

该芯片基于成熟的并行NOR架构，提供128Mb（16M x 8位或8M x 16位）的非易失性存储容量。其并行接口设计支持高速数据吞吐，访问时间与写周期时间均低至60ns，确保了系统在读取指令或写入数据时能够实现快速响应，这对于需要从闪存直接执行代码（XiP）的应用至关重要。宽电压供电范围（2.7V至3.6V）增强了其在电源波动环境下的适应性，而扩展的工业级工作温度范围（-40°C至85°C）则保证了其在严苛环境下的稳定运行。

在功能层面，这款芯片继承了NOR闪存的典型优势，包括快速的随机读取能力和可靠的代码存储。其存储阵列组织灵活，支持以字节（x8）或字（x16）为单位进行访问，方便与不同位宽的外部处理器对接。作为有源状态的成熟产品，它在长期供货和设计兼容性方面为用户提供了保障。对于需要稳定供应链的客户，通过正规的美光一级代理渠道采购，可以获得原厂技术支持与质量保证。

该器件适用于多种对启动速度、代码执行可靠性和数据完整性要求高的场景。典型应用包括工业自动化控制系统、网络通信设备、汽车电子模块以及需要快速启动的消费类电子产品。其耐用的特性也使其成为医疗设备、测试测量仪器等关键任务系统中代码存储的理想选择。

• 制造商产品型号：PN28F128M29EWHA TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 128MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（16M x 8，8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：60ns
• 访问时间：60ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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