Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT16VDDT12864AY-40BF2是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR SDRAM内存模块，采用标准的184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR（双倍数据速率）技术，内部由多颗高速CMOS DRAM芯片并行组成，通过精密的地址/命令解码与控制逻辑，实现数据在时钟信号上升沿与下降沿的双倍传输，从而在相同的物理时钟频率下获得翻倍的有效数据传输带宽。
该模块提供了1GB（128M x 64位）的存储容量，能够满足主流计算系统对内存空间的基本需求。其运行速度为400MT/s（百万次传输/秒），对应的时钟频率为200MHz，凭借DDR技术实现了等效于400MHz的数据传输速率。模块采用2.5V工作电压，在提供可靠性能的同时，也考虑了功耗控制。其设计严格遵循JEDEC标准规范，确保了与支持DDR内存技术的主板及芯片组之间的广泛兼容性和系统稳定性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过美光授权代理获取此正品元器件。
在接口与关键参数方面，该184-DIMM模块的64位数据总线宽度，使其能够完美匹配台式计算机和服务器的内存控制器。其预定义的突发长度、可编程的CAS延迟（CL）以及其他的时序参数，允许系统根据性能需求进行优化配置。模块上的串行存在检测（SPD）EEPROM芯片，存储了制造商信息、时序参数和模块配置数据，便于系统在启动时自动识别并正确配置内存，实现即插即用。
MT16VDDT12864AY-40BF2主要面向需要稳定、可靠内存扩展的商用和工业计算环境。其典型应用场景包括企业级台式工作站、入门级服务器、工业控制计算机以及特定的网络通信设备。该模块适用于运行数据库、文件服务器、虚拟化平台以及各类对内存容量和稳定性有明确要求的业务应用，是构建经济高效且性能可靠的计算平台的基础内存组件之一。
