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MT16VDDT6464AG-262G4

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MT16VDDT6464AG-262G4技术参数详情:

MT16VDDT6464AG-262G4是美光科技(Micron Technology)推出的一款标准DDR SDRAM内存模组,采用成熟的184针DIMM封装形式。该模组基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构,其核心设计旨在通过每个时钟周期在上升沿和下降沿各传输一次数据,从而在相同的物理时钟频率下实现理论双倍的数据带宽。其内部由多颗高速DRAM芯片并行组成,通过精密的时序控制和信号完整性设计,确保在系统级应用中提供稳定可靠的数据吞吐能力。

该模组具备512MB的总存储容量,为标准计算系统提供了适中的内存扩展方案。其标称运行速度为266MT/s(百万次传输每秒),对应的核心时钟频率为133MHz,能够有效满足对内存带宽有基础要求的系统平台。该产品遵循JEDEC标准规范,确保了与主流芯片组和平台的广泛兼容性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的美光芯片代理渠道获取此型号产品,从而保证元器件的原装正品与供货稳定性。

在电气接口与关键参数方面,该模组工作电压为标准DDR的2.5V,184针DIMM接口定义了完整的地址、数据、控制及电源引脚。其参数配置,包括时序参数如CAS延迟等,均遵循行业标准,便于系统设计人员进行集成与调试。该模组通常配备串行存在检测芯片,可自动向主板BIOS报告其容量、速度、时序等关键信息,实现即插即用的便利性。

从应用场景来看,MT16VDDT6464AG-262G4主要面向上一代但仍广泛使用的台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机以及特定的网络通信设备。它适用于那些需要升级或替换原有DDR内存以提升系统多任务处理能力、运行较大型应用程序或改善整体响应速度的应用场合。其稳定的性能和标准化的设计,使其成为老旧系统维护、特定嵌入式系统构建以及成本敏感型项目中的实用内存解决方案。

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