


MT16VDDT6464AG-40BGB是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR SDRAM内存模组,采用标准的184针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模组基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构,其核心设计旨在通过每个时钟周期内在上升沿和下降沿各传输一次数据,从而在相同的物理时钟频率下实现理论带宽的倍增。其内部由多颗存储芯片并行工作构成,通过精密的时序控制和信号完整性设计,确保在高速数据传输下的稳定性和可靠性。
该模组具备512MB的总存储容量,能够为系统提供适中的数据暂存空间。其标称数据传输速率达到400 MT/s,对应的时钟频率为200MHz,这一速度在当时的主流商用和工业计算平台中提供了良好的性能表现。模组采用2.5V工作电压,符合JEDEC制定的DDR SDRAM标准规范,确保了与支持该标准的主板芯片组之间的广泛兼容性。其设计包含了片上终结(ODT)等信号完整性增强特性,有助于简化主板设计并提升系统在较高频率下运行的稳定性。
在接口与参数方面,该器件采用184针DIMM接口,这是早期DDR内存系统的标准物理接口形式。其400MT/s的数据速率对应着DDR-400(亦常被称为PC-3200)的规格,能够提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽。该模组的时序参数(如CL、tRCD、tRP等)严格遵循行业标准,保证了在不同平台间的互换性。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过正规的美光中国代理渠道进行采购,以获取原厂品质的产品和完善的供应链服务。
MT16VDDT6464AG-40BGB主要面向需要稳定内存扩展的桌面计算机、入门级工作站、工业控制计算机以及特定的网络通信设备。它适用于对成本较为敏感,同时又需要保证标准DDR内存性能与可靠性的升级或维护场景。例如,可用于老旧商务台式机、POS终端、某些工控主板的容量升级,或作为特定嵌入式系统的标准内存配置,为这些系统在数据处理、多任务操作等方面提供必要的支持。
