Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT16VDDT6464AY-40BK1是美光科技（Micron Technology）推出的一款DDR SDRAM内存模组，采用双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构。该模组由多颗高速CMOS DRAM芯片组成，通过184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装形式提供可靠的物理连接。其内部核心基于并行预取设计，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效实现了每个时钟周期两次数据操作，从而在相同的物理频率下将数据传输带宽提升一倍。
该器件具备512MB的总存储容量，组织方式符合工业标准规范，能够满足中等负载系统的内存需求。其标称数据传输速率达到400MT/s（百万次传输/秒），对应的工作时钟频率为200MHz。这种性能表现使其在保持较低核心频率的同时，提供了可观的数据吞吐能力，有助于平衡系统功耗与性能。模组支持标准的DDR电压规范，并集成了片上终结（ODT）等信号完整性增强特性，以优化在高速运行下的信号质量，确保在主流商业和工业工作温度范围内的稳定运行。
在接口与电气参数方面，该模组采用184针DIMM接口，引脚定义兼容JEDEC标准DDR规范，便于集成到标准的主板插槽中。其工作电压、时序参数（如CL、tRCD、tRP）均遵循DDR-400规格。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品，并获得完整的数据手册、合规性认证信息以及应用设计支持。这些参数共同定义了其作为一款标准DDR1代内存模组在兼容性、性能与可靠性方面的基准。
基于其规格特性，MT16VDDT6464AY-40BK1主要面向需要标准DDR内存解决方案的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备以及特定型号的台式电脑和服务器的维护、升级或特定项目构建。它适用于那些对内存带宽有基础要求，且系统平台基于DDR1技术标准的应用场景，为这些领域的设备提供了经过验证的、成本效益较高的内存扩展或替换选择。
