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MT18HTF12872FY-53EB5E3

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MT18HTF12872FY-53EB5E3技术参数详情:

MT18HTF12872FY-53EB5E3是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的PCB布线实现1GB的总存储容量。其工作模式支持双倍数据速率,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,有效提升了数据吞吐效率。

该模块的核心运行频率为533MT/s(百万次传输/秒),对应的工作时钟频率为266MHz。这一速度等级在DDR2标准中提供了平衡的性能与功耗表现。其设计严格遵循JEDEC标准规范,确保了与主流支持DDR2内存的主板平台具有良好的兼容性和稳定性。模块内置的片上终结(ODT)功能有助于改善信号完整性,减少反射,从而在高速运行下维持可靠的数据通信。对于需要稳定、大批量供应的系统集成商而言,通过正规的美光一级代理进行采购是保障产品来源与质量的重要途径。

在接口与电气参数方面,该模块采用1.8V的工作电压,相较于前代DDR内存显著降低了功耗与发热。其延迟时序参数(如CL, tRCD, tRP)经过优化,以匹配533MT/s的数据速率,在提供可观带宽的同时保证了响应速度。模块上的串行存在检测(SPD)芯片存储了制造商信息、时序参数和容量等关键数据,使系统能够在启动时自动准确配置,实现即插即用。

基于其技术特性,MT18HTF12872FY-53EB5E3主要面向对成本控制、稳定性和兼容性有较高要求的商用计算领域。它适用于企业级台式电脑、入门级服务器、工作站、工业控制计算机以及一些特定的网络通信设备。这些应用场景通常不需要极致的峰值带宽,但非常看重系统长期运行的可靠性、大规模部署的便利性以及总拥有成本(TCO)。该模块能够为这些系统提供可靠的内存扩展解决方案,满足日常数据处理、多任务办公及特定行业应用软件的内存需求。

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