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MT18HTF12872Y-53ED6

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MT18HTF12872Y-53ED6技术参数详情:

MT18HTF12872Y-53ED6是一款由美光科技(Micron Technology)设计和生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用行业标准的240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于DDR2技术,通过4位预取和差分选通(DQS)技术,在核心时钟频率为133MHz的情况下,实现了高达533MT/s的数据传输速率。这种设计有效提升了内存与处理器之间的数据交换带宽,同时通过降低工作电压至1.8V,相比前代DDR技术,在提供更高性能的同时也显著优化了功耗与发热表现。

该模组集成了总容量为1GB的存储空间,其内部由多颗高速DDR2 SDRAM芯片组成,并通过精密的板载寄存器进行信号缓冲与驱动,确保了在高速运行下的信号完整性与系统稳定性。严格的时序控制和片上终结(ODT)功能是其关键特性,它们共同作用以减少信号反射,使得该模组尤其适合在多负载、高频率的服务器或工作站环境中稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,通过专业的Micron代理商进行采购,是确保获得正品元件和完整技术支持的重要途径。

在接口与电气参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准规范。其运行电压为1.8V ±0.1V,支持CAS延迟等可编程时序参数,为用户提供了灵活的配置空间以适应不同的系统需求。其533MT/s的数据速率对应PC2-4300(或PC2-5300)规格,能够为前端总线匹配的系统提供充足的内存带宽。模组的物理尺寸和引脚定义完全符合240-pin DIMM标准,确保了与主流服务器、工作站主板的广泛兼容性。

基于其高可靠性、标准化的接口和平衡的性能功耗比,MT18HTF12872Y-53ED6主要面向企业级计算和传统高性能桌面平台。其典型应用场景包括但不限于:旧款服务器、网络存储设备(NAS)、工作站以及需要大容量、稳定内存支持的工业控制计算机。在这些对数据完整性和系统持续运行能力要求严苛的领域,该模组凭借美光科技在存储领域的深厚技术积累,提供了经过验证的解决方案。

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