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MT47H256M4B7-5E:A TR

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MT47H256M4B7-5E:A TR技术参数详情:

MT47H256M4B7-5E:A TR 是一款由美光科技(Micron Technology)推出的DDR2 SDRAM芯片,采用先进的92-VFBGA表面贴装封装,以卷带形式提供。该器件基于256M x 4的存储单元组织架构,总容量达到1Gb,其内部采用双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据,有效提升了数据传输带宽。其核心工作电压范围设计为1.7V至1.9V,在保证性能的同时,有助于降低系统整体功耗。

该芯片具备200MHz的时钟频率,配合DDR2技术,可实现高达800Mb/s/pin的数据传输速率。其访问时间低至600ps,写周期时间(字、页)为15ns,这些时序参数确保了在高速运算环境下数据的快速读写与响应。并联存储器接口设计简化了与控制器之间的连接,适用于需要高带宽数据交换的系统。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟稳定的性能在诸多既有设计中仍被广泛信赖,通过正规的美光代理商渠道仍可获得相关库存与技术支持。

在功能实现上,它支持标准的DDR2操作模式,包括突发读写、自动预充电和可编程的CAS延迟。其工作温度范围覆盖0°C至85°C(壳温),能够满足商业级和部分工业级应用的环境要求。紧凑的92-ball FBGA封装不仅节省了PCB空间,也优化了信号完整性,尤其适合空间受限的高密度电路板设计。

这款存储器主要面向需要可靠、中等带宽内存解决方案的嵌入式系统与网络设备。其典型应用场景包括但不限于工业控制计算机、通信基础设施设备(如路由器、交换机)、打印机以及特定的消费类电子产品。在这些领域,它能够为处理器或ASIC提供高效的数据缓冲和临时存储空间,保障系统流畅运行。

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