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MT9HTF12872AY-40EA1

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MT9HTF12872AY-40EA1技术参数详情:

MT9HTF12872AY-40EA1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作。模块内部集成了片上终端(ODT)和片外驱动校准(OCD)等电路,有效优化了信号完整性,确保在高速运行下的数据读写稳定可靠。

该模块的核心特性在于其1GB的大容量存储400MT/s的数据传输速率。400MT/s的速率对应标准DDR2-800规格,其核心时钟频率为200MHz,通过双倍数据速率技术在每个时钟周期的上升沿和下降沿各传输一次数据,实现了高效的数据吞吐。模块工作电压为1.8V,相比前代DDR内存显著降低了功耗与发热。其设计严格遵循JEDEC标准,保证了与主流平台的良好兼容性。对于需要可靠供应链的客户,通过正规的美光授权代理进行采购,是获得原装正品与完整技术支持的重要保障。

在接口与电气参数方面,该模块采用SSTL_18(1.8V Stub Series Terminated Logic)电平标准。其时序参数如CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)、行预充电时间(tRP)等均经过优化,以匹配400MT/s的速度等级。模块支持突发长度(BL)为4或8的操作,并具备可编程的读写延迟,为系统设计提供了灵活性。其240针DIMM接口定义了详细的地址线、数据线、控制信号和电源引脚,适用于支持ECC或非ECC功能的主板插槽,具体取决于系统配置需求。

基于其容量、速度与标准化的外形,MT9HTF12872AY-40EA1主要面向需要稳定内存扩展的商用计算与嵌入式领域。它适用于企业级台式电脑、工作站、服务器(在支持DDR2的平台上)、工业控制计算机、网络通信设备以及一些特定的测试与测量仪器。在这些应用场景中,该模块能够为操作系统、应用程序和数据处理提供充足且可靠的内存资源,满足多任务处理、数据缓存和实时运算的需求,是构建稳健IT基础设施与专业设备的经典内存解决方案之一。

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