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MT18HTF12872Y-80ED6

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MT18HTF12872Y-80ED6技术参数详情:

MT18HTF12872Y-80ED6是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线、寄存器与串行检测集线器(SPD)协同工作,为系统提供稳定、高带宽的数据通道。其设计严格遵循JEDEC标准,确保了与主流服务器、工作站及高性能计算平台的电气与物理兼容性。

该模块具备1GB的存储容量,运行速度为800 MT/s(每秒百万次传输)。这一速度等级意味着它在每个时钟周期的上升沿和下降沿都能进行数据传输,有效数据速率是核心时钟频率的两倍,从而在保持较低I/O频率的同时实现了较高的数据传输带宽。其工作电压为标准的1.8V,相比早期的DDR技术,在提供更高性能的同时,也实现了更优的功耗控制。模块内置的片上终结(ODT)功能有助于改善信号完整性,减少反射,确保在高速运行下的数据可靠性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Micron代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,MT18HTF12872Y-80ED6采用240-DIMM接口,这是企业级和高端桌面平台的常见规格。其时序参数(如CL、tRCD、tRP)针对800MT/s的速度进行了优化,以平衡延迟与吞吐量。模块上的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了所有必要的配置信息,允许系统BIOS自动识别并配置其工作模式,实现即插即用。其设计支持ECC(错误校验与纠正)功能,这对于要求数据完整性和系统可靠性的关键应用至关重要,能够检测并纠正单位元错误。

MT18HTF12872Y-80ED6主要面向需要稳定内存子系统的应用场景。它是老旧服务器、工作站升级或维护的理想选择,能够有效延长现有支持DDR2平台的生命周期。同时,它也适用于一些特定的工业控制计算机、网络通信设备以及需要高可靠性且对最新内存技术换代不敏感的传统嵌入式系统。其1GB的容量和800MT/s的速度,足以满足当时期主流商业软件、数据库应用及虚拟化环境对内存带宽和容量的基本需求。

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