


MT18HTF51272AZ-80EC1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针无缓冲双列直插式内存模块(240-UDIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,通过4位预取架构和差分选通(DQS)设计,实现了数据从存储阵列到I/O缓冲区的高速传输。内部采用多Bank并行访问机制,有效提升了数据吞吐效率并降低了访问延迟,为系统提供了稳定可靠的内存扩展方案。
该模组具备4GB的总存储容量,运行速率为800 MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为400MHz。其高带宽特性能够显著缓解数据密集型应用中的内存瓶颈。模组支持片上终端(ODT)功能,有助于优化信号完整性,减少反射干扰,确保在高速运行下的数据传输稳定性。同时,它遵循JEDEC标准的1.8V工作电压,在提供高性能的同时,也兼顾了能效表现。
在接口与关键参数方面,MT18HTF51272AZ-80EC1严格遵循DDR2 UDIMM规范,其电气特性和时序参数均经过美光科技的严格测试与验证,保证了与主流服务器、工作站及高性能计算主板的广泛兼容性。对于需要可靠供应链与技术支持的用户,可以通过授权的美光代理商获取该产品及相关的技术资料。其稳定的性能输出使其能够满足严苛的连续运行环境要求。
该内存模组主要面向需要大容量、稳定内存子系统的企业级和商用计算平台。它适用于传统的数据中心服务器、金融交易系统、企业级存储服务器以及需要大量内存缓冲的专业图形工作站。在这些应用场景中,其4GB的容量和800MT/s的速度能够有效支持虚拟化、大型数据库操作、内容流媒体处理等任务,是构建或升级上一代高性能、高可靠性计算平台的关键组件之一。
