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MT18JDF51272PZ-1G6K1

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MT18JDF51272PZ-1G6K1技术参数详情:

MT18JDF51272PZ-1G6K1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的4GB容量DDR3 SDRAM内存模组,采用标准的240针RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)封装形式。该模组基于DDR3内存技术,其核心架构采用了双倍数据速率同步动态随机存取存储器设计,内部集成了地址与控制信号的寄存器(Register)和温度传感器(TS),有效提升了信号完整性、系统稳定性以及多模组配置下的驱动能力,尤其适用于需要大容量、高可靠性的企业级与数据中心平台。

该模组的数据传输速率达到1600MT/s(百万次传输/秒),在DDR3技术规范下实现了高效的数据吞吐。其RDIMM设计是关键特性之一,通过在内存模组上加入寄存器来缓冲地址与控制信号,减轻了内存控制器的电气负载,从而支持在单个通道上安装更多内存模组,显著提升了系统的最大可支持内存容量与稳定性。模组运行在1.5V标准工作电压下,在提供高性能的同时兼顾了能效。对于需要可靠供应链与技术支持的用户,可以通过正规的美光代理商获取此产品及其相关的技术资料与供货服务。

在接口与关键参数方面,该模组符合JEDEC标准的DDR3-1600规格,时序参数经过美光严格测试与验证,确保与主流服务器平台的兼容性。240针的RDIMM接口定义了详细的电源、地线、数据、地址与控制信号引脚布局。其4GB的存储容量由多颗高质量DDR3 SDRAM芯片组合实现,并通过ECC(错误校验与纠正)功能提供更高的数据可靠性,这对于处理关键任务的系统至关重要。模组上的串行存在检测(SPD)芯片存储了配置信息,便于系统自动识别与优化设置。

MT18JDF51272PZ-1G6K1主要面向对稳定性、容量和信号完整性有严苛要求的应用场景。它是构建企业级服务器、高性能工作站、数据中心服务器以及网络存储设备(NAS/SAN)等硬件平台的理想内存解决方案。其RDIMM特性使其能够稳定工作在多处理器(Multi-CPU)环境以及需要安装大量内存模组以扩展至数十GB甚至更高总内存容量的系统中,有效支撑数据库应用、虚拟化、云计算和高性能计算等负载,确保了系统长时间持续运行的可靠性。

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