Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464AG-40BF4是美光科技（Micron Technology）推出的一款DDR SDRAM内存模组，采用标准的184针双列直插内存模块（DIMM）封装形式。该模组内部由多颗高性能DDR SDRAM芯片构成，总存储容量为512MB，其核心架构基于双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了倍增的有效数据带宽，显著提升了内存子系统的吞吐效率。
该模组运行速度为400MT/s（百万次传输/秒），对应的时钟频率为200MHz。其功能特点包括支持2.5V标准工作电压，确保了与主流DDR平台的兼容性；采用CAS Latency（CL）等可编程时序参数，允许系统根据性能需求进行优化配置；内部集成片内终结（ODT）技术，有助于改善信号完整性，减少主板上的终结电阻需求，简化系统设计。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的美光芯片代理获取该产品及相关技术支持。
在接口与关键参数方面，MT8VDDT6464AG-40BF4遵循JEDEC制定的DDR SDRAM标准规范。其184-DIMM封装是早期DDR1代台式机内存的典型形态，引脚定义包含了地址线、数据线、控制信号线以及电源和接地。模组的时序参数，如tRCD（RAS到CAS延迟）、tRP（行预充电时间）和tRAS（行有效至预充电时间），均针对400MT/s的数据速率进行了优化，以平衡延迟与带宽性能。其工作温度范围、刷新机制等参数均满足商用及工业级计算环境的要求。
该内存模组主要面向需要可靠内存扩展的桌面计算机、入门级工作站以及特定的嵌入式系统或工业控制设备。它适用于那些基于Intel Pentium 4、AMD Athlon XP等平台或兼容DDR-400规格的老旧系统维护、升级以及特定利基市场的设备制造。在这些应用场景中，MT8VDDT6464AG-40BF4提供了经过验证的稳定性和足够的带宽，以支持当时的操作系统和应用程序流畅运行，是延续相关平台生命周期或进行设备修复的关键组件之一。
