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MT18KSF51272AZ-1G6M1

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MT18KSF51272AZ-1G6M1技术参数详情:

MT18KSF51272AZ-1G6M1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、低功耗的DDR3L SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针无缓冲双列直插内存模块(UDIMM)封装,其核心架构基于先进的30纳米级制程工艺,内部由多颗高密度DDR3L SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线和高频信号完整性设计,确保在高速运行下的数据稳定传输。模组内置了片上终结(ODT)和可编程的CAS延迟、写入恢复时间等时序参数,支持自动刷新和自刷新模式,有效管理功耗并提升系统能效。

该模组具备多项突出的功能特性。其工作电压为1.35V,符合DDR3L低电压标准,相比标准DDR3的1.5V,功耗显著降低,热设计更为优化,尤其适合对能效有严苛要求的应用环境。它支持高达1600 MT/s的数据传输速率,配合双倍数据速率(DDR)技术,在时钟上升沿和下降沿均可进行数据传输,实现了高带宽性能。模组内置的串行检测(SPD)EEPROM存储了关键的时序、容量和制造商信息,便于系统BIOS自动识别和配置,确保即插即用的兼容性。此外,其设计严格遵循JEDEC规范,保证了与主流平台和芯片组的可靠互操作性。

在接口与关键参数方面,该模组提供72位数据总线(包含64位数据位和8位ECC校验位,具体取决于配置),支持1.5V(兼容)和1.35V两种工作电压,为系统设计提供了灵活性。其时序参数如CL(CAS延迟)可根据具体速度等级进行优化配置,以平衡性能与稳定性。模组的物理尺寸和引脚定义完全符合240-UDIMM标准,便于集成到台式机、工作站和服务器的标准内存插槽中。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过美光授权代理获取正品元件和完整的技术资料。

基于其4GB的存储容量、1600 MT/s的高速度和低功耗特性,MT18KSF51272AZ-1G6M1主要面向需要平衡性能与能效的商业计算领域。它广泛应用于企业级台式电脑、入门级工作站、金融终端、瘦客户机以及各种嵌入式系统和工业控制平台。在这些场景中,它能够为操作系统、应用程序和数据处理提供稳定的内存支持,同时通过降低系统整体功耗,有助于实现更环保的IT基础设施和更低的运营成本。

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