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MT18VDVF12872DY-40BF4

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MT18VDVF12872DY-40BF4技术参数详情:

MT18VDVF12872DY-40BF4是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR SDRAM内存模组。该模组采用标准的184针双列直插式内存模块(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR SDRAM技术,通过双倍数据速率机制,在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的物理频率下实现了更高的有效带宽。其内部由多颗高密度DRAM芯片组成,通过精密的PCB布线和信号完整性设计,确保在高速运行下的稳定性和可靠性。

该模组具备1GB的存储容量,运行速度为400MT/s(兆次传输/秒),能够为系统提供高效的数据吞吐能力。其VLP(Very Low Profile)外形设计是其显著特点之一,这种超薄矮板设计极大地降低了模组的物理高度,使其能够兼容空间受限的紧凑型设备或服务器机箱,为高密度计算环境提供了灵活的硬件部署方案。对于需要稳定、长期供货的客户,通过专业的美光代理商可以获得完整的技术支持和供应链保障。

在接口与电气参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准规范,工作电压为2.5V,确保了与主流支持DDR内存的主板和控制器的广泛兼容性。其184针DIMM接口定义了详细的地址、数据、控制和电源引脚,保证了信号传输的准确性和时序要求。模组的时序参数(如CL、tRCD、tRP等)针对400MT/s的速度进行了优化,在提供性能的同时,也兼顾了系统的稳定启动和长时间运行的可靠性。

基于其容量、速度和外形特点,MT18VDVF12872DY-40BF4主要面向对空间和性能有双重要求的应用场景。它非常适合用于1U/2U机架式服务器网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制计算机以及某些特定型号的嵌入式系统存储阵列。在这些领域中,该模组能够为系统提供可靠的内存扩展解决方案,满足数据处理、缓存和临时存储的需求,是构建稳定、高效计算平台的关键组件之一。

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