MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能、低功耗移动LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用先进的DRAM技术，旨在满足现代移动计算、高端嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗的密集型应用需求。其核心架构基于双倍数据速率（DDR）原理，在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，从而在给定的时钟频率下实现更高的有效数据传输速率。内部组织为768M（兆）个存储单元，每个单元宽度为64位，构成了总容量高达48Gb（6GB）的存储阵列，为处理大量数据提供了充足的缓冲空间。

该芯片的功能特点突出体现在其2133MHz的高时钟频率上，这直接转化为高达4266 MT/s（每秒百万次传输）的数据传输速率，能够显著提升系统在处理图形渲染、人工智能推理、高分辨率视频流等任务时的响应速度和流畅度。同时，作为移动LPDDR4规格的器件，它在提供高性能的同时，将工作电压控制在1.1V，有效降低了整体功耗和发热，这对于电池供电的便携式设备至关重要。其376-ball WFBGA（细间距球栅阵列）封装形式紧凑，支持表面贴装（SMT），有利于在空间受限的PCB板上实现高密度布局。

在接口与关键参数方面，该器件遵循标准的LPDDR4接口协议，确保了与主流移动平台处理器（如应用处理器、SoC）的良好兼容性。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），展现了良好的环境适应性，能够满足从消费电子到工业级应用的不同场景需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品及相关服务。其卷带（TR）包装形式也适配自动化贴片生产线，提升了大规模生产的效率。

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR的典型应用场景非常广泛。它主要面向需要大内存带宽和低功耗的下一代移动设备，例如高端智能手机、平板电脑和轻薄型笔记本电脑。此外，在汽车信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、工业自动化控制设备、网络通信设备以及各类嵌入式人工智能终端中，该芯片也能发挥关键作用，为复杂的实时计算和数据交换提供高速、可靠的内存支持。

• 制造商产品型号：MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• 现在可以订购MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。