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MT36HTF25672Y-80ED1

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MT36HTF25672Y-80ED1技术参数详情:

MT36HTF25672Y-80ED1是一款由美光科技(Micron Technology)推出的高性能DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装形式。该模组内部集成了高密度存储芯片,通过先进的电路设计和信号完整性优化,实现了在800MT/s数据传输速率下的稳定运行,为需要大容量、高带宽内存子系统的计算平台提供了可靠的解决方案。

该模组的核心架构基于双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器技术。它在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的物理时钟频率下实现了加倍的有效数据带宽。模组内部的组织结构经过优化,以支持2GB的总存储容量,并确保在多bank访问模式下的高效操作,减少了行激活与预充电带来的延迟,提升了整体内存吞吐效率。

在功能特性上,MT36HTF25672Y-80ED1支持关键的DDR2技术,如片内终结(ODT)和Posted CAS(附加列地址选通),这些功能有效改善了信号质量,简化了主板设计,并提升了命令总线效率。其工作电压为1.8V,相比前代DDR技术显著降低了功耗,符合现代电子系统对能效的严格要求。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Micron代理商获取原装正品和技术支持。

该模组的接口严格遵循JEDEC标准DDR2-800规范,其时序参数经过精心调校,以确保与主流芯片组的兼容性。其800MT/s的数据速率对应着PC2-6400的带宽等级,能够满足对内存带宽有较高需求的应用。模组的物理尺寸和引脚定义符合240-DIMM工业标准,便于集成到各类服务器、工作站及高端台式机的主板插槽中。

鉴于其2GB的容量和800MT/s的高速性能,MT36HTF25672Y-80ED1非常适合应用于企业级服务器、高性能工作站、网络通信设备以及需要处理大量数据的工业计算平台。它能够有效支撑数据库运行、虚拟化环境、科学计算及图形渲染等任务,是构建稳定、高效核心计算基础设施的关键组件之一。

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