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MT47H32M16HR-187E:G TR

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MT47H32M16HR-187E:G TR技术参数详情:

MT47H32M16HR-187E:G TR是美光科技(Micron Technology)推出的一款采用DDR2 SDRAM技术的并行接口动态随机存取存储器。该芯片采用先进的1.7V至1.9V核心电压设计,在降低功耗的同时,提供了稳定的数据吞吐性能。其核心架构基于经典的32M x 16位组织方式,总存储容量达到512Mb,内部采用四体(Bank)结构,支持体间交叉访问,有效提升了数据访问的并行度和效率,减少了因行地址激活和预充电带来的延迟。

该器件在功能上具备DDR2技术的典型优势,包括双倍数据速率(Double Data Rate)片内终结(On-Die Termination, ODT)功能。在时钟频率为533MHz(对应数据速率为1066 MT/s)下工作,其访问时间低至350ps,写周期时间(字、页)为15ns,能够满足对时序要求严格的应用场景。其接口为标准并行接口,通过命令/地址总线与控制器通信,支持突发读写操作,并内置了可编程的突发长度和CAS延迟,为系统设计提供了灵活的配置选项。其工作温度范围为0°C至85°C(壳温),采用表面贴装的84-TFBGA封装,卷带(TR)包装形式适合自动化贴装生产。

从应用场景来看,这款DDR2 SDRAM主要面向需要中等容量、较高带宽和可靠性的嵌入式系统与网络通信设备。例如,它常被用于工业控制主板、网络路由器/交换机、数字标牌、打印机以及一些对成本敏感但性能要求明确的消费类电子产品的设计中。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统的维护、备件供应或特定长生命周期项目中仍有持续需求,通过可靠的美光一级代理渠道仍可获取原装正品,保障供应链的稳定与产品质量。

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