Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT49H8M36BM-33:B TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能并行接口动态随机存取存储器（DRAM）。该器件采用先进的DRAM技术，其核心架构基于288Mb（8M x 36）的存储容量组织，提供了宽数据位宽，能够有效满足对高带宽数据传输有严格要求的应用。其内部设计优化了数据访问路径，结合300MHz的时钟频率，确保了在高速运行下的数据吞吐效率。
该芯片的功能特点突出体现在其高速访问与低功耗性能的平衡上。其访问时间典型值为20ns，配合并联接口，能够实现快速的数据读写操作。工作电压范围在1.7V至1.9V之间，属于低电压操作，有助于降低系统整体功耗。器件采用144-TFBGA封装，表面贴装形式，适合高密度PCB板设计。值得注意的是，该产品系列已处于停产状态，这意味着其主要用于现有系统的维护或特定生命周期较长的项目，在选型时需通过可靠的Micron代理商确认库存与长期供应支持。
在接口与关键参数方面，MT49H8M36BM-33:B TR采用并行接口，数据宽度为36位，这使其在单次访问中能处理更多数据，提升效率。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），保证了在宽温环境下的稳定运行。包装形式为卷带（TR），便于自动化贴装生产，提升制造效率。这些参数共同定义了其高可靠性、适用于严苛环境的技术特性。
基于其技术规格，该芯片典型的应用场景包括需要高带宽和快速数据缓存的嵌入式系统、网络通信设备、工业控制计算机以及某些专业的测试测量仪器。其288Mb的容量和36位宽接口尤其适合作为处理器的高速缓存或帧缓冲区，在图形处理、数据采集和实时信号处理等领域能发挥重要作用，为系统性能提供关键的内存支持。
