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MT4HTF1664AY-667B1

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MT4HTF1664AY-667B1技术参数详情:

MT4HTF1664AY-667B1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术标准,内部由多颗高速CMOS DRAM芯片组成,通过精密的电路布局实现128MB的总存储容量。其设计旨在通过双倍数据速率(DDR)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的物理频率下实现更高的有效数据传输带宽。

该模组具备667MT/s的数据传输速率,这使其峰值数据传输能力能够满足对内存带宽有较高要求的系统需求。其工作电压相较于早期的DDR标准有所降低,这有助于减少整体系统的功耗与发热。模组内部集成了片上终结(ODT)等信号完整性增强技术,能够有效抑制高速信号传输过程中的反射与干扰,确保在较高频率下运行的稳定性与可靠性。对于需要稳定供应链的客户,通过美光一级代理可以获得原厂正品保障与专业的技术支持。

在接口与关键参数方面,MT4HTF1664AY-667B1严格遵循JEDEC标准的DDR2-667规格,其时钟频率为333MHz,配合4位预取架构,实现了667MT/s的有效速率。240针DIMM接口是台式机和工作站平台的通用标准,提供了广泛的硬件兼容性。该模组的时序参数(如CL、tRCD、tRP等)经过优化,在提供高带宽的同时也保证了较低的访问延迟。

该内存模组主要面向需要稳定、可靠内存扩展的商用及工业计算领域。其典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机、网络通信设备以及某些特定的嵌入式系统。在这些场景中,它能够为操作系统、应用程序和数据处理提供必要的临时存储空间,是构建高性价比、高性能计算平台的基础组件之一。

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