


MT5HTF3272PKY-40EB2是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组。该器件采用成熟的DDR2双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构,其核心设计旨在通过差分时钟(CK/CK#)与数据选通(DQS/DQS#)信号的同步,在时钟的上升沿与下降沿均实现数据传输,从而在相同的核心频率下将有效数据带宽提升至传统SDRAM的两倍。其内部采用4 Bank预取架构,并集成了片内终结(ODT)功能,有助于优化信号完整性,减少主板上的终结电阻需求,简化系统设计。
该模组具备512MB(256M x 72-bit)的总容量,其72位数据总线宽度包含标准的64位数据位及8位ECC(错误校验与纠正)位,为关键任务计算和数据密集型应用提供了增强的数据可靠性保障。其标称运行速度为400MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为200MHz,在DDR2技术下可提供高达3.2GB/s的峰值带宽。其工作电压为1.8V,相较于前代DDR技术显著降低了功耗与发热,提升了系统的能效比。对于需要稳定供应链与技术支持的系统集成商而言,通过专业的美光芯片代理进行采购是确保产品正品与供货连续性的可靠途径。
在接口与物理规格方面,该器件采用标准的244针双列直插内存模块(244-DIMM)封装,其引脚定义与电气特性严格遵循JEDEC规范,确保了与主流服务器及工作站主板的广泛兼容性。其时序参数(如CL、tRCD、tRP)针对400MT/s的数据速率进行了优化,在保证性能的同时维持了稳定的操作窗口。该模组通常支持串行存在检测(SPD)功能,便于系统启动时自动识别并配置其速度、容量与时序参数。
基于其ECC校验功能、稳定的400MT/s速度及标准的DIMM封装形式,MT5HTF3272PKY-40EB2主要面向对数据完整性与系统稳定性有严苛要求的应用场景。它是构建或升级企业级服务器、网络存储设备(NAS/SAN)、通信基础设施以及高性能工作站的理想内存解决方案,尤其适用于需要处理大量事务数据或运行关键业务软件的环境,能够有效降低因软性内存错误导致的系统宕机风险。
