Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464AY-40BD3是一款由美光科技（Micron Technology）设计和生产的DDR SDRAM内存模块。该器件采用标准的184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装，其核心是一个组织为64M x 64位（即512MB总容量）的同步动态随机存取存储器阵列。该架构基于双倍数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了比传统SDRAM高一倍的有效数据带宽。
该模块的工作速率达到400MT/s（每秒百万次传输），对应的时钟频率为200MHz，能够提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽，显著提升了系统在处理大量数据时的响应速度与吞吐能力。其设计严格遵循JEDEC标准，确保了与主流芯片组和平台的广泛兼容性。模块内部集成了串行存在检测（SPD）EEPROM，用于自动向系统BIOS报告关键的时序、容量与电压参数，简化了系统配置并增强了可靠性。对于需要稳定、高性能内存解决方案的客户，通过美光一级代理可以获得原厂正品保障与专业的技术支持。
在电气接口方面，MT8VDDT6464AY-40BD3采用2.5V标准工作电压，并支持SSTL_2（Stub Series Terminated Logic for 2.5V）信号标准，有效改善了信号完整性并降低了功耗。其预取架构为2n，内部存储单元阵列以核心时钟频率运行，通过接口处的双倍数据速率机制实现高速外部数据传输。模块的延迟时序参数（如CL、tRCD、tRP）经过优化，以平衡性能与稳定性，满足苛刻的系统时序要求。
这款512MB DDR-400内存模块主要面向对成本与性能有均衡要求的商用计算领域。它适用于台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机以及特定的网络通信设备，为这些系统提供可靠的主内存扩展方案。在需要升级或替换老旧系统内存，或为嵌入式工控平台构建稳定运行环境时，该模块凭借其标准化的设计、成熟的工艺和出色的兼容性，成为一个经得起市场验证的实用选择。
