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MT9HTF6472KY-40EB1

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MT9HTF6472KY-40EB1技术参数详情:

MT9HTF6472KY-40EB1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用244针微型双列直插内存模块(244-MDIMM)封装,并符合极低外形(VLP)规格,其物理尺寸设计旨在满足对空间有严格限制的嵌入式系统与高密度服务器应用需求。模块内部由多颗高性能DDR2 SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线及阻抗控制,确保在高速运行下的信号完整性。

该模块的核心架构基于双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器技术。它在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的物理时钟频率下实现双倍的数据吞吐量。其标称数据传输速率达到400MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为200MHz。模块内部采用预取架构与4n预取设计,有效提升了内存带宽。同时,它支持ODT(片内终端电阻)功能,这有助于简化主板设计并改善信号质量,尤其是在多模块配置的系统中。

在功能特性上,MT9HTF6472KY-40EB1提供512MB的总存储容量,为中等负载的运算任务提供了充足的内存资源。其工作电压为标准DDR2的1.8V,在提供可靠性能的同时有助于控制整体系统的功耗与发热。该模块严格遵循JEDEC制定的DDR2规范,确保了与主流平台控制器的兼容性。对于需要可靠供应链与技术支持的用户,通过正规的美光一级代理进行采购,是获得正品保障与稳定供货的重要途径。

该内存模块的接口采用行业标准的244-MDIMM引脚定义,便于集成到相应的主板插槽中。其电气参数与时序特性均经过严格测试,以保证在标称速度下的稳定运行。VLP的外形设计使其能够安装在散热空间受限或存在其他机械干涉的紧凑型设备中,例如1U或刀片式服务器、网络通信设备、工业控制计算机以及高性能嵌入式系统。

MT9HTF6472KY-40EB1主要面向需要平衡性能、容量与空间占用的企业级及嵌入式应用场景。它适用于作为网络路由器/交换机的缓存、存储阵列的控制器内存、金融交易终端、医疗成像设备以及电信基础设施中的处理单元。其可靠的性能和标准化的接口,使其成为对系统长期稳定运行有较高要求的升级或备件选择的理想组件。

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