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MT9HTF6472PKY-40EB3

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MT9HTF6472PKY-40EB3技术参数详情:

MT9HTF6472PKY-40EB3是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的244针双列直插内存模块(DIMM)封装,其核心由高密度DDR2 SDRAM芯片构成,通过先进的堆叠或阵列工艺,在物理尺寸受限的PCB上集成了总容量为512MB的存储空间。其内部架构遵循JEDEC标准的DDR2规范,采用4bank预取设计,通过双向差分选通(DQS)技术实现数据在时钟上升沿和下降沿的双倍数据传输,这是实现其高带宽的关键。

该模块的核心运行速率为400MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为200MHz。在功能上,它支持片上终结(ODT)功能,这能有效改善高速信号完整性,减少主板布线的复杂性和信号反射,从而提升系统在高速运行下的稳定性。同时,它具备Posted CAS#与附加延迟(AL)功能,通过优化命令总线效率来提升内存控制器的数据吞吐性能。其工作电压为标准的1.8V,相比前代DDR内存显著降低了功耗与发热,符合现代电子系统对能效的严格要求。

在接口与关键参数方面,该模块采用244-DIMM接口,是服务器、工作站及高端台式机平台的常见规格。其400MT/s的数据速率能够提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽(以64位数据总线计算),足以满足当时期主流计算平台对内存子系统的性能需求。严格的时序参数,如CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)和行预充电时间(tRP),均经过优化,以确保在额定速度下的可靠运行。对于需要可靠供应链与技术支持的系统集成商而言,通过正规的美光代理商进行采购是确保产品正宗与获得完整技术文档支持的重要途径。

基于其稳定的性能与标准的工业封装,MT9HTF6472PKY-40EB3主要面向需要可靠内存扩展的商用计算领域。其典型应用场景包括企业级服务器、网络存储设备(NAS)、高性能工作站以及某些对兼容性和稳定性有苛刻要求的工业控制计算机。在这些场景中,该模块能够为数据处理、虚拟化、文件缓存等任务提供坚实的内存支持,是构建稳定、高效计算基础设施的经典组件之一。

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