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MT9HTF6472PKY-53EB1

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MT9HTF6472PKY-53EB1技术参数详情:

MT9HTF6472PKY-53EB1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用标准的244针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速、低功耗的DDR2 SDRAM芯片组成,通过精密的PCB板进行互连与信号完整性管理,确保在系统级别提供稳定可靠的数据带宽。其设计遵循JEDEC标准规范,保证了与主流服务器、工作站及高性能计算平台的广泛兼容性。

该模块具备512MB的存储容量,能够有效满足中等负载应用对内存空间的基本需求。其运行速度达到533MT/s(每秒百万次传输),这为其带来了可观的数据吞吐能力,有助于缓解处理器与内存之间的数据交换瓶颈,提升系统整体响应速度。DDR2技术相较于前代产品,在相同核心频率下通过4位预取架构实现了更高的数据传输率,同时工作电压降低至1.8V,带来了显著的功耗与发热优势,这对于构建高密度、注重能效比的系统环境尤为重要。

在接口与关键参数方面,MT9HTF6472PKY-53EB1采用240针非缓冲DIMM(UDIMM)或244针寄存器DIMM(RDIMM)外形(具体以244-DIMM标注为准,需结合产品手册确认详细配置),其时钟频率对应PC2-4200或DDR2-533规格。模块内置串行存在检测(SPD)芯片,可自动向主板BIOS报告模块的时序、电压与容量参数,实现即插即用的便捷部署。稳定的电气性能和严格的时序控制是其可靠运行的基石,用户可通过美光中国代理获取完整的技术文档与合规性认证信息。

鉴于其性能与规格,MT9HTF6472PKY-53EB1非常适合应用于对成本与功耗较为敏感,同时又需要可靠内存扩展的领域。典型应用场景包括企业级入门服务器、网络存储设备(NAS)、工业控制计算机、金融终端、以及特定型号的台式工作站或老款高性能计算机的系统升级与维护。它为这些系统提供了经济高效的内存扩容方案,有助于延长现有IT资产的生命周期,保障业务应用的稳定运行。

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