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MT9HTF6472Y-40EB2

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MT9HTF6472Y-40EB2技术参数详情:

MT9HTF6472Y-40EB2是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用240针双列直插式内存模块(240-DIMM)标准封装,其核心架构基于成熟的DDR2同步动态随机存取存储器技术,内部由多颗高速DRAM芯片并行组成,通过精密的地址/命令/控制总线与数据总线进行协同工作,以实现高带宽的数据吞吐。模块内部集成了片上终端电阻(ODT)与可编程的CAS延迟、预充电时间等时序控制逻辑,这些设计有效提升了信号完整性并简化了主板布局。

该模块的核心功能特点是提供了512MB的存储容量高达400MT/s的数据传输速率。400MT/s的速率对应标准DDR2-800规格,其双倍数据速率特性使得它在每个时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据,从而在相对较低的I/O时钟频率下实现了高有效带宽。模块支持1.8V的低工作电压,这不仅降低了系统整体功耗,也减少了发热量。其设计严格遵循JEDEC标准,确保了与主流支持DDR2内存的芯片组和平台的广泛兼容性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Micron代理商获取此正品元件。

在接口与关键参数方面,MT9HTF6472Y-40EB2采用标准的240针DIMM接口,引脚定义包含数据线、地址线、控制命令线、时钟线以及电源和接地。其工作电压为1.8V ±0.1V,时序参数(如CL、tRCD、tRP)可根据具体速度等级进行优化配置。模块的400MT/s数据传输率是其关键性能指标,直接决定了其在数据密集型应用中的响应速度和处理能力。这种模块化设计使得它能够直接插入主板对应的DIMM插槽,极大方便了系统集成与升级维护。

基于其稳定的性能和适中的容量,MT9HTF6472Y-40EB2主要面向对成本、功耗和兼容性有较高要求的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备、金融终端以及部分老一代的台式机和服务器平台。在这些应用场景中,它能够为系统的操作系统、应用程序和数据缓存提供可靠的高速暂存空间,保障系统在多任务处理和实时数据交换时的流畅性与稳定性,是构建经济高效、稳定可靠计算平台的重要基础组件之一。

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