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MT9HTF6472Y-53EB2

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MT9HTF6472Y-53EB2技术参数详情:

MT9HTF6472Y-53EB2是一款由美光科技(Micron Technology)设计和制造的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的PCB布线实现稳定的并行数据传输。模块内置片上终端电阻(ODT)和可编程的CAS延迟、预充电时间等时序参数,这些特性有助于优化信号完整性,减少反射,从而在较高的数据传输速率下维持系统的稳定运行。

该模块的功能特点突出体现在其512MB的存储容量533MT/s的数据传输速率上。533MT/s的速率意味着其有效时钟频率为266MHz,在双倍数据速率(DDR)技术的加持下,每个时钟周期可传输两次数据,从而实现了较高的带宽。该模块工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR内存,在提升性能的同时有效降低了功耗与发热。其设计严格遵循JEDEC标准,确保了与主流支持DDR2内存的芯片组和平台的广泛兼容性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过正规的美光芯片代理渠道获取此型号产品,以确保原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,MT9HTF6472Y-53EB2采用240针DIMM接口,这是台式电脑和部分服务器、工作站平台的常见规格。其时序参数(如CL、tRCD、tRP)经过优化,以匹配533MT/s的速度等级,能够在保证低延迟访问的同时,满足持续大数据流读写的需求。模块的PCB通常采用多层设计,并配有串行存在检测(SPD)EEPROM芯片,用于自动向主板BIOS报告模块的容量、时序、电压等关键信息,实现即插即用的便捷配置。

鉴于其性能与规格,MT9HTF6472Y-53EB2主要面向需要稳定内存扩展的旧式台式电脑、入门级工作站以及部分工业控制计算机的升级与维护。它适用于那些运行对内存带宽有适度要求、且平台基于DDR2技术标准的应用场景,例如早期的办公电脑、图形设计工作站、以及某些对硬件长期稳定性和兼容性有严格要求的嵌入式或工业控制系统。它为这些系统提供了可靠的成本效益型内存解决方案。

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