MT44K32M18RB-093E IT:A TR

MT44K32M18RB-093E IT:A TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能并行接口DRAM芯片。该器件采用先进的DRAM技术构建，其核心架构基于32M x 18的组织形式，提供了总计576Mb的存储容量。这种并行数据路径设计，结合高带宽接口，旨在满足现代计算和嵌入式系统对高速数据吞吐的严苛要求。

该芯片在功能上具备显著优势。其工作时钟频率高达1067MHz，配合仅为8ns的访问时间，能够实现极低延迟的数据读写操作，有效提升系统响应速度。其工作电压范围设定在1.28V至1.42V之间，体现了对功耗管理的优化，有助于降低整体系统的能耗。同时，其宽泛的工作温度范围（-40°C至95°C，基于外壳温度TC）确保了在工业级和扩展商业环境下的可靠性与稳定性，适用于各种苛刻的应用条件。

在接口与物理规格方面，该器件采用并联存储器接口，通过168引脚TBGA（细间距球栅阵列）封装实现表面贴装。这种封装形式在提供高密度I/O连接的同时，也保证了良好的信号完整性和散热性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品及相关服务。其卷带（TR）包装方式适配于自动化贴片生产线，提升了大规模生产的效率。

基于其高性能和可靠性，MT44K32M18RB-093E IT:A TR非常适合于对内存带宽和容量有较高要求的应用场景。典型应用包括网络通信设备（如路由器、交换机）、高性能嵌入式计算平台、工业自动化控制系统以及需要大量数据缓冲的图形处理或数据采集模块。其易失性存储器特性，结合高速并行访问能力，使其成为系统中充当高速缓存或主内存的理想选择。

• 制造商产品型号：MT44K32M18RB-093E IT:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：DRAM
• 存储容量：576Mb（32M x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：1067MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：8ns
• 电压-供电：1.28V ~ 1.42V
• 工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TBGA
• 现在可以订购MT44K32M18RB-093E IT:A TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。